メモリは、サーバのパフォーマンスを制限するハードウェア条件の最優先事項です！そのパフォーマンスと品質も、サーバ製品を評価する上で重要な側面です。しかし、サーバーのメモリについては、ほとんどの人があまり連絡を取らないため、まだ理解に欠けていると思います。この記事は主に読者への2つの質問に答えています：サーバーメモリとは何ですか？それとデスクトップメモリとの間の本質的な違いは何ですか？
サーバーメモリの重要性
重要なビジネス、メモリエラーによるダウンタイムは永久にデータを失います。メモリ自体は電子機器であり、さまざまなエラーが発生しやすいです。
はしたがって、ビジネスの圧力と自身の欠如は、すべてのメーカーはすでに積極的なHPの「オンラインバックアップメモリ」およびホットプラグミラーメモリなどの独自のサーバーメモリ技術を、起動しているという事実に直面して、IBMのチップキルをメモリテクノロジとホットリプレースメントおよびホットアドメモリテクノロジ。企業情報システムの拡大に伴い、メモリの密度と容量もそれに応じて開発されます。で
を探索するためのサーバのメモリパフォーマンス*サーバーのメモリがメモリであり、それは通常、通常のメモリコンピューターシティでの外観や構造の実質的な違いはありませんし、私たちを見て、それが中心にありますいくつかの新しいテクニックがメモリに導入されました、そして外観から何も引き出されません。一般のPCのメモリースティックを他の人がサーバーのメモリに販売しているのであれば、心配することはできますか？一般的に言って、可能性はほぼゼロであると安心できます。通常のＰＣ上のメモリは一般にサーバ上で利用可能ではないので、それはまた、安価のためにサーバのメモリを通常のＰＣのメモリと交換することができないことを意味する。 //現在一般的にサーバーのメモリとDDR SDRAMメインの2種類が使用さ
*を指定してください再現し、コンピュータのハードウェアおよびソフトウェアのネットワークwww.45it.comのアプリケーションからのこの記事では、別のRAMBUSメモリが高いです次世代ストレージ製品のための高性能チップ間インタフェース技術登場したばかりのDDR2は、徐々にサーバーメモリにまで拡張されています。 Hyundai Hynixは、昨年6月にサーバーおよびワークステーション用のDDR2メモリの量産を開始しました。 ECCための技術的な観点から
*、区別通常のメモリの理由、。これはErrorChecking and Correctingの省略形です。それはさまざまな分野のコンピュータの指示で広く利用されています。 ECCはパリティと似ています。ただし、Parityがエラーしか検出できない場所では、ECCは実際にはほとんどのエラーを訂正できます。メモリのエラー訂正後、コンピュータの操作命令は実行し続けることができる。これにより、サーバーシステムの安定性と信頼性が見えなくなります。ただし、ECCテクノロジではシングルビットメモリエラーしか訂正できず、マルチビットエラーが発生するとECCメモリはノンマスカブル割り込み（NMI）を生成し、システムは自動的に動作を停止します。
は、一般的なメモリ用で
製品を理解し、利用者は、帯域幅、メモリバス速度、待機期間、CAS遅延時間やその他のパラメータなどの重要なパラメータを認識しています。しかし、サーバーのために、我々はメモリ生産プロセスを考慮し、サーバーのメモリは一般的にPCBボードの8層を使用し、完璧な電源層と配線層は完全に安定性のギャップを反映し、そしてそれは与えることができないメモリは、容量の理想、容量の拡張性、そしてさらに重要なことには、放熱、信頼性、および密度をもたらします。
キングストン・サーバ・メモリ：製品のベンダーは、次のような、これらの分野でより良い仕事をします。 Kingston Kingstonは、世界で最大かつ最もプロフェッショナルなメモリメーカーとして、その長年の経験を生かして、ハイエンドサーバーのメモリ製造においても同様に優れており、他のメモリメーカーとは比較にならない生産技術の利点を持っています。各サーバーのメモリの品質を保証するために、Kingstonはすべてのメモリ製品に対して、サーバーメモリごとに包括的な品質管理プロセスを導入しています。製品の各チップの各ストレージユニットは厳密にテストされているため、Kingstonのサーバーメモリはほぼ100％信頼性があります。
Samsungシングル1GB PC 2100 ECC DDR。このストリップは、主にSamsung独自のメモリチップ、モデルK4H510638E-TCB0を使用するエントリーレベルのサーバー市場向けです。チップ容量は最大64M、4バンクアーキテクチャ設計、SSTL2インタフェースインタフェース、66ピンTSOP2パッケージ形式、デフォルト動作電圧は2.5V、デフォルト動作周波数はCL = 2の場合はDDR200、CL = 2.5以上の場合はDDR266です。チップの物理構造は、通常使用されているDDRメモリチップとは異なり、2層のチップで構成されています。zh-CN"],null,[1],zh-TW"]]]